亥姆霍兹线圈磁场测定仪     型号；H10039
亥姆霍兹线圈磁场测定仪 是综合性大学和工科院校物理实验教学大纲中的重要实验之一。该实验可以学习和掌握弱磁场测量方法，证明磁场迭加原理，根据教学要求描绘磁场分布等。传统的亥姆霍兹线圈磁场测量实验，一般用探测线圈配以指针式交流电压表测量磁感应强度。由于线圈体积大，指针式交流电压表等级低等原因，测量的误差较大。
　　近年来，在科研和工业中，集成霍耳传感器由于体积小，测量准确度高，易于移动和定位，所以被广泛应用于磁场测量。例如， 95A型集成霍耳传感器就是一种高灵敏度的优质磁场传感器，用它探测载流线圈及亥姆霍兹线圈的磁场，准确度比用探测线圈高得多。用高灵敏度集成霍耳传感器测量弱交、直流磁场的方法已在科研与工业中广泛应用。
　　本仪器采用优良的 95A型集成霍耳传感器作探测器，用直流电压表测量传感器输出电压，探测亥姆霍兹线圈产生的磁场，测量准确度比探测线圈得多，仪器装置牢靠，实验内容丰富。
　　
　　应用该仪器可以完成以下实验：
　　1． 测量单个载流圆线圈轴线上各点磁感应强度，把测量的磁感应强度与理论计算值比较；
　　2． 测量亥姆霍兹线圈在间距分别为线圈半径的不同倍数时，轴线上的磁场分布，并进行比较，进一步证明磁场迭加原理；
　　3． 描绘载流圆线圈及亥姆霍兹线圈的磁场分布；
　　仪器主要技术参数：
　　1． 高灵敏度毫特斯拉计 量程 0－2 mT ， 分辨率 0.001mT
　　2． 直流稳流电源 量程 50－400mA（线圈并接） 稳定度 1％
　　3．亥姆霍兹 线圈 匝数 500匝，外径21cm，内径19cm
　　4．磁感应强度测量 误差 <5％

2. 霍耳效应实验仪     型号；H10036
霍耳元件因其体积小，使用简便，测量准确度高，可测量交、直流磁场等优点，已广泛用于磁场的测量，并配以其他装置用于位置、位移、转速、角度等物理量的测量和自动控制。本霍耳效应实验仪主要帮助学生了解霍耳效应的实验原理，测量霍耳元件的灵敏度，并学会用霍耳元件测量磁感应强度的方法。
　　H10036型霍耳效应实验仪具有以下优点：
　　1．采用砷化镓霍耳元件测量，该霍耳元件具有灵敏度高，线性范围广，温度系数小的特点，由于霍耳元件的工作电流小，电磁铁的励磁电流也小，因而实验数据稳定可靠。
　　2．实验电路布局设计合理，更多地从教学的实际效果和科研的应用考虑。如待测样品和探测元件的形状结构学生可明显观察；用一个数字电压表可分别测量霍耳电压和霍耳电流等，实验教学效果很好。
　　3．仪器具有?；ぷ爸?，使用寿命长。
　　本仪器可用于高等院校、中专的基础物理实验、设计性实验和演示实验。
　　应用本仪器可以完成以下实验：
　　1.直流磁场情况下，测量霍耳电流与霍耳电压的关系。
　　2.测量砷化镓霍耳元件的灵敏度。
　　3.用砷化镓霍耳元件测量矽钢片材料的磁化曲线。
　　仪器主要技术参数：
　　1．直流稳流电源 量程0－500mA，数显分辨率1mA。
　　2．四位半数字电压表 量程0－2V，分辨率0.1ｍV。
　　3．数字式特斯拉计 量程0－0. 35T，分辨率0.0001T。

3. 磁阻效应实验仪     型号；H10035
磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统位置测量等。其中最典型的锑化铟（ InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。
　　本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（ GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性实验的特点。
　　该仪器可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
　　应用本实验仪可以完成以下实验：
　　1．用于测定通过电磁铁的电流和磁铁间隙中磁感应强度的关系，观测砷化镓（GaAs）霍耳元件的霍耳效应。
　　2．用于测定锑化铟（InSb）磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。
　　3．研究锑化铟（InSb）磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系，进行曲线拟合，求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。
　　4．外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应），观测其的物理现象（选做）。
　　仪器主要技术参数：
　　1.双路直流电源
　　　电流范围 0－500ｍA 连续可调，数字电流表显示大小。
　　　电流范围 0－3ｍA 连续可调，供传感器的工作电流。
　　2.数字式毫特计
　　　测量范围 0－0.5T，分辨率0.0001T，准确率为1%。

4. 磁电阻效应实验仪     型号；H10034
磁电阻传感器由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统位置测量等。其中最典型的锑化铟（ InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻传感器，有着十分重要的应用价值。
　　本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种类型的传感器：利用砷化镓（ GaAs ）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（ InSb ）磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。
　　应用该实验仪可以完成以下实验：
　　•  测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
　　•  作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
　　•  对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
　　•  研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性（倍频效应），观测其的物理现象。
　　该仪器具有研究性和设计性实验的特点，可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
　　仪器主要技术参数：
　　1 ．磁电阻传感器工作电源 输出电流 0 － 3mA 连续可调。
　　2 ．数字式毫特仪 测量范围 0 － 199.9mT　　分辨率 0.1mT ，液晶显示
　　3 ．数字电压表 测量范围 0 － 1999mV　　分辨率 1mV ，液晶显示

5. 磁阻传感器与地磁场实验仪     型号；H10032
　地磁场作为一种天然磁源，在军事、航空、航海、工业、医学、探矿等科研中有着重要用途。本仪器采用新型坡莫合金磁阻传感器测量地磁场的重要参量，通过实验可以掌握磁阻传感器定标以及测量地磁场水平分量和磁倾角的方法，了解测量弱磁场的一种重要手段和实验方法。
　　本仪器与其他地磁场实验仪 (如正切电流计测地磁场实验仪)相比具有以下优点：
　　1．实验转盘经过精心设计，可自由转动，方便地调节水平和铅直。
　　2．新型磁阻传感器的灵敏度高达50V/T，分辨率可达10 －7 －10 －8 T，稳定性好，便于学生掌握新型传感器定标，及用磁阻传感器测量弱磁场的方法，测量地磁场参量准确度高。
　　3．本仪器不仅可测地磁场水平分量，而且能测出地磁场的大小与方向，这是正切电流计等地磁场实验仪所不能达到的。
　　本仪器可用于高校、中专的基础物理实验、综合性设计性物理实验及演示实验。
　　应用本仪器可以完成以下实验：
　　1．熟悉磁阻传感器测量弱磁场的方法，测量磁阻传感器的灵敏度。
　　2．测量地磁场的水平分量、竖直分量以及磁倾角的大小，计算地磁场磁感应强度。
　　3．用磁阻传感器测量通电单线圈产生磁场分布，并与理论值进行比较（选做）。
　　仪器主要技术参数：
　　1．磁阻传感器 工作电压 6V 灵敏度50V/T
　　2．亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数500匝，半径 10cm
　　3．直流恒流源 输出电流0－200.0mA，连续可调
　　4．直流电压表 量程0－200mV，分辨率 0.01mV

以上参数资料与图片相对应